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第一章 单元测试

1、 问题:哪项技术的出现标志着电子器件从真空管时代进入了半导体时代？（ ）
选项：
A:光刻技术
B:平面晶体管
C:二极管
D:点接触晶体管
答案: 【
点接触晶体管
】

2、 问题:沟道长度L缩小时，MOSFET的工作频率f的变化规律是：（ ）
选项：
A:与L成正比
B:与L成反比
C:与L²成反比
D:与L³成正比
答案: 【
与L²成反比
】

3、 问题:对于相同沟道长度的MOSFET，下列哪种结构具有最强栅控能力？（ ）
选项：
A:平面结构
B:双栅结构
C:FinFET
D:GAAFET
答案: 【
GAAFET
】

4、 问题:缩小器件尺寸对器件性能的提升体现在：（ ）
选项：
A:响应速度提升
B:开关频率提升
C:数据吞吐率提高
D:电源电压提升
答案: 【
响应速度提升
开关频率提升
数据吞吐率提高
】

5、 问题:微纳加工中的典型工艺步骤包括：（ ）
选项：
A:光刻
B:刻蚀
C:薄膜沉积
D:抛光与清洗
答案: 【
光刻
刻蚀
薄膜沉积
抛光与清洗
】

6、 问题:在BJT处于放大工作点时，基极电流的变化会线性地引起集电极电流的相应变化。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

7、 问题:FZ法最大的特点是：（ ）
选项：
A:污染少
B:生长速度快
C:耗能低
D:大直径易实现
答案: 【
污染少
】

8、 问题:在VG理论中，V表示？（ ）
选项：
A:固–液界面温度梯度
B:固–液界面平整度
C:晶体的生长速度
D:晶体的提拉速率
答案: 【
晶体的提拉速率
】

9、 问题:第四代超宽禁带材料典型代表不包括：（ ）
选项：
A:Ga₂O₃
B:AlN
C:SiC
D:Diamond
答案: 【
SiC
】

10、 问题:CZ法生长单晶硅棒的关键工艺参数包括？（ ）
选项：
A:熔融温度
B:提拉速度
C:籽晶转速
D:掺杂气体流量
答案: 【
熔融温度
提拉速度
籽晶转速
掺杂气体流量
】

11、 问题:第三代半导体材料适用于哪些领域？（ ）
选项：
A:航空航天
B:新能源汽车
C:光伏储能
D:微控制器
答案: 【
航空航天
新能源汽车
光伏储能
】

12、 问题:单晶硅生长中籽晶取向决定晶体晶向。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

13、 问题:光刻工艺中“前烘”的主要目的是：（ ）
选项：
A:提升光刻胶光反应灵敏度
B:除去光刻胶中的溶剂，增强附着力
C:改变光刻胶折射率
D:固化光刻胶结构
答案: 【
除去光刻胶中的溶剂，增强附着力
】

14、 问题:下列哪项不是提升光刻分辨率的直接技术手段？（ ）
选项：
A:缩短波长
B:增加NA
C:降低曝光剂浓度
D:减小工艺因子k
答案: 【
降低曝光剂浓度
】

15、 问题:在浸没式光刻中，相比传统干式系统，分辨率提升的物理本质是：（ ）
选项：
A:使用紫外光替代可见光
B:增大曝光能量
C:增加光传播路径
D:增加光线入射角所形成的数值孔径
答案: 【
增加光线入射角所形成的数值孔径
】

16、 问题:负性光刻胶的典型行为包括：（ ）
选项：
A:曝光区域发生交联反应
B:曝光区域发生分解反应
C:未曝光区域溶解于显影液
D:适用于高纵深比图形
答案: 【
曝光区域发生交联反应
未曝光区域溶解于显影液
适用于高纵深比图形
】

17、 问题:EUV光刻工艺中面临的技术挑战包括：（ ）
选项：
A:光源功率不足
B:掩模缺陷难以控制
C:光刻胶易被高能光损伤
D:曝光环境必须充满氮气
答案: 【
光源功率不足
掩模缺陷难以控制
光刻胶易被高能光损伤
】

18、 问题:光刻流程中的“后烘”是为了稳定图案结构，增强耐刻蚀性。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

19、 问题:CD-SEM中采用的电子束能量一般低于多少keV以减少对样品的损伤？（ ）
选项：
A:10
B:5
C:1
D:0.1
答案: 【
1
】

20、 问题:薄膜厚度测量中，椭偏法通过分析什么来计算厚度？（ ）
选项：
A:光强和相位变化
B:薄膜的硬度
C:电子迁移率
D:掩膜图形
答案: 【
光强和相位变化
】

21、 问题:套刻精度测量中，DBO技术主要基于哪一物理机制？（ ）
选项：
A:光吸收
B:光衍射
C:电子束散射
D:热扩散
答案: 【
光衍射
】

22、 问题:CD-SEM 实现三维重构的手段有？ （ ）
选项：
A:多角度电子束入射
B:Monte Carlo 模拟
C:高分辨率图像锐化与边缘提取
D:TEM 辅助测量
答案: 【
多角度电子束入射
Monte Carlo 模拟
TEM 辅助测量
】

23、 问题:EUV光刻对掩膜版的特殊要求有？（ ）
选项：
A:高度洁净无颗粒
B:极高图形完整性
C:高分辨率图案一致性
D:具备良好的光学透明性
答案: 【
高度洁净无颗粒
极高图形完整性
高分辨率图案一致性
】

24、 问题:NIR检测可以补充SEM在微小缺陷检测上的不足。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

25、 问题:下列哪种晶体管在1nm工艺节点上有望使用？（ ）
选项：
A:Planar MOS
B:FinFET
C:GAAFET
D:CFET
答案: 【
CFET
】