第一章 单元测试

1、 问题:数字电路设计中运用的典型抽象层按抽象程度增加的顺序依次为（ ）。
选项：
A:电路、门、器件、功能模块、系统
B:器件、门、功能模块、电路、系统
C:器件、电路、门、功能模块、系统
D:器件、电路、功能模块、门、系统
答案: 【
器件、电路、门、功能模块、系统
】

2、 问题:面积较小的门往往较快并消耗_的能量，因为门的总电容常常随面积的减小而_（ ）。
选项：
A:较少，减小
B:较多，减小
C:较多，增大
D:较少，增大
答案: 【
较少，减小
】

3、 问题:每个圆片上功能完好的芯片数目以及每个芯片的成本与芯片的面积有很大的关系。芯片面积较小的设计往往成品率较低。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

4、 问题:静态功耗是由在电源和地之间的静态导电通路或由于漏电流引起的，所以静态功耗只在电路导通的时候存在。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

5、 问题:动态功耗是由于对电容充电以及在电源和地之间有一暂时的电流通路造成的，所以动态功耗正比与开关频率。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

第二章 单元测试

1、 问题:TSMC的中文名称是（ ）
选项：
A:台积电
B:台联电
C:中芯国际
D:华宏半导体
答案: 【
台积电
】

2、 问题:半导体工艺中，P型半导体掺杂方式为（ ）
选项：
A:掺入的杂质为硼或其他三价元素
B:掺入的杂质为磷等五价元素
C:既掺入硼或其他三价元素，也掺入磷或其他五价元素
D:掺入的杂质为金属元素
答案: 【
掺入的杂质为硼或其他三价元素
】

3、 问题:外延速率仅由外延气体中硅源（如 SiCl4）浓度决定。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

4、 问题:通常掩膜氧化采用的工艺方法为：（ ）
选项：
A:干氧
B:低压氧化
C:干氧-湿氧-干氧
D:掺氯氧化
答案: 【
干氧-湿氧-干氧
】

5、 问题:一般最小线宽是有图案形成工艺的分辨率来确定的（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

第三章 单元测试

1、 问题:短沟道器件的阈值电压往往会随时间漂移，这是由于热载流子效应，一般这个效应使NMOS器件的阈值电压_，使PMOS器件的阈值电压_（ ）。
选项：
A:降低，降低
B:升高，升高
C:升高，降低
D:降低升高
答案: 【
升高，升高
】

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