2022大学慕课答案 模拟电子电路(吉林大学) 最新大学MOOC满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2022-05-09到2022-07-15

二、单向流动电流的二极管 第二章自测题

1、 问题:稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（  ），它不允许工作在正向导通状态（  ）。（填√或×）
答案: 【√
×】

2、 问题: PN结的特性方程是        。普通二极管工作在特性曲线的      ；稳压管工作在特性曲线的        。
答案: 【A C D】

3、 问题:二极管实际就是一个PN结，PN结具有     ，即处于正向偏置时，处于     状态；反向偏置时，处于    状态。
答案: 【单相导电性 导通 截止】

4、 问题:普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_      ，反向电流一般_     _；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为      ，反向电流一般      。A．0.1～0.3V，B．0.6～0.8V，C．小于1微安，D．大于1微安
答案: 【B C A D】

5、 问题: 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题5中实线所示，在温度为 T1时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的开启电压为     伏，反向击穿电压为         伏，温度T1     25℃。（大于、小于、等于）A. 0.3    B. 0.5    C. 50     D. 160     E. 大于    F. 小于
答案: 【B B F】

【作业】一、半导体基础知识 第一章作业题

1、 问题:纯净的、结构完整的半导体称为_ ，掺入杂质后称_。若掺入五价杂质，其多数载流子是 _ 。
评分规则: 【 答案：本征半导体、杂质半导体、电子一个空2分
】

2、 问题:在本征半导体中，空穴浓度        电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度      电子浓度；在P型半导体中，空穴浓度       电子浓度。A．大于，B．小于，C．等于
评分规则: 【 答案：C、B、A一个空2分
】

3、 问题:在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于    ，而少数载流子的浓度与     关系十分密切。A．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度
评分规则: 【 答案：C、A一个空2分
】

4、 问题:当PN结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层  E  ；当PN结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D  。 A．大于，B．小于，C．等于，D．变宽，E．变窄，F不变 
评分规则: 【 答案：A、E、B、D一个空2分
】

5、 问题:二极管实际就是一个PN结，PN结具有     ，即处于正向偏置时，处于      状态；反向偏置时，处于     状态。
评分规则: 【 答案：单相导电性、导通、截止一个空2分
】

【作业】二、单向流动电流的二极管 第二章作业题

1、 问题:
评分规则: 【 1. 最高分30 2. 最低分0 3. 如果全部正确，直接给出30分。 4. 如果部分正确，平均分配每个小问的分值10分，答对的问题可给相应的分数。 
】

2、 问题:
评分规则: 【 1. 最高分20 2. 最低分0 3. 如果全部正确，直接给出20分。 4. 如果部分正确，平均分配求出一个电流值10分。
】

3、 问题:
评分规则: 【 1. 最高分20 2. 最低分0 3. 如果全部正确，直接给出20分。 4. 如果部分正确，平均分配每个小问10分。
】

一、半导体基础知识 第一章自测题

1、 问题:N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

2、 问题:在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

3、 问题:P型半导体带正电，N型半导体带负电。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

4、 问题:PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

5、 问题:由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

三、小电流控制大电流的晶体三极管 第三章自测题

1、 问题:NPN和PNP型三极管的区别取决于          。
选项：
A:半导体材料硅和锗的不同
B:掺杂元素的不同
C:掺杂浓度的不同
D:P区和N区的位置不同
答案: 【P区和N区的位置不同】

2、 问题:三极管工作在放大区时，发射结为        ，集电结为       ，工作在饱和区时，发射结为        ，集电结为           。（A．正向偏置，B．反向偏置，C．零偏置）
答案: 【A B A B】

3、 问题:已知某三极管的PCM＝800mW，ICM＝500mA,，VBR(CEO)＝30V。若该管子在电路中工作电压VCE ＝10V，则工作电流IC不应超过       mA；若VCE＝1V，则IC不应超过        mA。若管子的工作电流IC＝10mA，则工作电压VCE不应超过 30 V；若IC＝200mA，则VCE不应超过       V。
答案: 【80
500
4】

4、 问题:三极管的ICBO是指  极开路时，   极与          极间的反向饱和电流；ICEO是指   极开路时，    极与   极之间的穿透电流。
答案: 【发射 集电 基 基 集电 发射】

5、 问题:随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将     ，输出特性曲线将      ，输出特性曲线的间隔将       。（A．上移， B．下移，C．左移，D．右移，E．增大，F．减小，G．不变）
答案: 【C A E】

【作业】三、小电流控制大电流的晶体三极管 第三章作业题

1、 问题:
评分规则: 【 给分标准：1. 最高分30 2. 最低分0 3. 如果全部正确，直接给出30分。 4. 如果部分正确，平均分配每个小问的分值，答对的问题可给相应的分数。
】

2、 问题:
评分规则: 【 1. 最高分30 2. 最低分0 3. 如果全部正确，直接给出30分。 4. 如果部分正确，平均分配每个小问的分值6分，答对的问题可给相应的分数(四舍五入取整数）。
】

3、 问题:
评分规则: 【 1. 最高分30 2. 最低分0 3. 如果全部正确，直接给出30分。 4. 如果部分正确，平均分配每个小问的分值，答对的问题可给相应的分数(四舍五入取整数）。
】

【作业】四、晶体三极管放大电路及分析方法 第四章作业题

1、 问题:
评分规则: 【 解：（a）不能放大，输入回路无偏置电压（b）能放大     （c）不能放大，VCC极性不正确。1. 最高分10 2. 最低分0 3. 如果全部正确，直接给出10分。 4. 如果部分正确，平均分配每个小问的分值，答对的问题可给相应的分数(四舍五入取整数）。
】

2、 问题:
评分规则: 【 1. 最高分20 2. 最低分0 3. 如果全部正确，直接给出20分。 4. 如果部分正确，平均分配每个小问的分值，答对的问题可给相应的分数(四舍五入取整数）。
】

3、 问题:
评分规则: 【 1. 最高分30 2. 最低分0 3. 如果全部正确，直接给出30分。 4. 如果部分正确，平均分配每个小问的分值，答对的问题可给相应的分数(四舍五入取整数）。
】

4、 问题:
评分规则: 【 1. 最高分20 2. 最低分0 3. 如果全部正确，直接给出20分。 4. 如果部分正确，平均分配每个小问的分值，答对的问题可给相应的分数(四舍五入取整数）。
】

5、 问题:
评分规则: 【 1. 最高分30 2. 最低分0 3. 如果全部正确，直接给出30分。 4. 如果部分正确，平均分配每个小问的分值，答对的问题可给相应的分数(四舍五入取整数）。
】

四、晶体三极管放大电路及分析方法 第四章自测题

1、 问题:在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用          ；希望带负载能力强，应选用         ；希望从信号源索取电流小，应选用        ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用         。（A．共射组态，B．共集组态，C．共基组态）
答案: 【A或C B B A】

2、 问题:射极跟随器在连接组态方面属共         极接法，它的电压放大倍数接近             ，输入电阻很           ，输出电阻很        。
答案: 【集电 1 大 小】

3、 问题:小信号等效电路法适用     频     信号情况。
答案: 【低 小】

4、 问题:图解分析法适用于        信号情况。
答案: 【大】

5、 问题:在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。（A．增大， B．减小，C．基本不变）（1）当Rc增大时，则静态电流ICQ将        ，电压放大倍数将        ，输入电阻Ri将        ，输出电阻Ro将      ；（2）当VCC增大，则静态电流ICQ将       ，电压放大倍数将       ，输入电阻Ri将       ，输出电阻Ro将        。 
答案: 【(1) C A C A
(2) A A B C】

五、小电压控制大电流的场效应晶体管 第五章自测题

1、 问题:N沟道和P沟道场效应管的区别在于          。
选项：
A:衬底材料前者为硅，后者为锗
B:衬底材料前者N型，后者为P型
C:导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D:空
答案: 【导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴】

2、 问题:场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流       ；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的       。A. 大；B. 小
答案: 【B B】

3、 问题:结型场效应管的栅源之间通常加      偏置电压，因此栅极电流很小；绝缘栅型场效应管的栅源之间有一层        ，因此栅极静态电流几乎等于零。
答案: 【反向 二氧化硅绝缘层】

4、 问题:图中,（a）电路中场效应管的类型是     ，VDD的极性为     ；（b）电路中场效应管的类型是       ，VDD的极性为       ；（c）电路中场效应管的类型是      ，VDD的极性为       。A. N沟道结型场效应管；B. N沟道增强型MOS管；C. N沟道耗尽型MOS管D. P沟道增强型MOS管；E. P沟道耗尽型MOS管F. 正；G. 负
答案: 【B F
A F
E G】

5、 问题:在放大状态下，双极型晶体管的发射结处于       偏置，集电结处于      偏置；结型场效应管的栅源之间加有      偏置电压，栅漏之间加有      偏置电压。