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本课程起止时间为:2019-11-29到2020-03-31
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【作业】单元6：薄膜的制备 综合演练
1、 问题:简述集成电路芯片制造工艺流程，并对其进行简单概述 。
评分规则: 【 1.衬底制备 —— 外延生长 ——热氧化 —— 扩散掺杂—— 离子注入 —— 快速热处理 —— 化学气相淀积—— 光刻 —— 刻蚀 —— 金属化 —— 钝化。（5分）2.外延生长：是在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层,犹如原来的晶体向外延伸了一段,故称外延生长。（5分）3.热氧化：在高温下,硅与氧反应在硅表面生成氧化硅薄膜。（2分）4. 扩散技术：对于施主或受主杂质的掺入，就需要进行较高温度的热扩散。为了让晶体中产生出大量的晶格空位，所以，就必须对晶体加热，让晶体原子的热运动加剧，以使得某些原子获得足够高的能量而离开晶格位置、留下空位（与此同时也产生出等量的间隙原子，空位和间隙原子统称为热缺陷），也因此原子的扩散系数随着温度的升高而指数式增大。（5分）5.离子注入的过程，就是在真空系统中，用经过加速的，要掺杂的原子的离子照射（注入）固体材料，从而在所选择的（即被注入的）区域形成一个具有特殊性质的表面层（注入层）。（4分）6. 快速热处理：包括快速热氧化、离子注入后的快速热退火、快速加热化学气相沉积化学气相淀积：化学气相沉积是以气体输运的方式合理地引入反应室，在衬底表面发生化学反应沉积薄膜的方法；（6分）7.光刻：首先要在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，随后让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板（MASK）照射在硅片上。被照射到的部分(如源区和漏区)光刻胶会发生变质，而构筑栅区的地方不会被照射到，所以光刻胶会仍旧粘连在上面。接下来就是用腐蚀性液体清洗硅片，变质的光刻胶被除去，露出下面的硅片，而栅区在光刻胶的保护下不会受到影响。随后就是粒子沉积、掩膜、刻线等操作，直到最后形成成品晶片。（6分）8.刻蚀：在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。（3分）9.金属化：根据电路设计要求，将晶体管、二极管、电阻、电容等元器件用金属薄膜线条连接起来。（2分）10.钝化：通过特定的工艺，在半导体表面淀积生长绝缘薄膜，以减少外界环境对半导体表面的影响。（2分）
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