2019大学慕课答案 模拟电子电路(刘圆圆老师2019秋季)(杭州电子科技大学) 最新大学MOOC满分章节测试答案

2026年1月7日 分类:已完结 作者:站长

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本课程起止时间为:2019-08-31到2020-01-05
本篇答案更新状态:已完结

【作业】第1周 导论及晶体二极管入门 第1周课前作业

1、 问题:假设图中的二极管理想,求电流值I和电压值V。
评分规则: 【

2、 问题:如图所示,求所标明的电压V和电流值I,其中二极管要求用恒压降模型替代,即VD=0.7V。
评分规则: 【

3、 问题:试判断如图所示电路中各二极管是否导通,并求Vo的值。
评分规则: 【

【作业】第2周 晶体二极管及放大器入门 第2周课前作业

1、 问题:
评分规则: 【

2、 问题:
评分规则: 【

3、 问题:某电压放大器的输入电阻为10kΩ,输出电阻为200Ω,增益为1000V/V。它被连接在内阻为100kΩ、开路电压为10mV的信号源和100Ω负载之间,则(1)输出电压为多少?(2)从源到负载的电压增益为多少?(3)从放大器输入端到负载的电压增益为多少?
评分规则: 【

4、 问题:某电流放大器有 它被连接在电阻为100kΩ的100mV信号源和1kΩ负载之间。整个放大电路的电流增益、电压增益和功率增益分别为多少?
评分规则: 【

5、 问题:在本周学习过程中,你遇到了什么问题?是否已经解决?
评分规则: 【 rt

【作业】第3周 MOS器件及CS传输特性 第3周课前作业

1、 问题:
评分规则: 【

2、 问题:一个NMOS晶体管有Vt= 1V。当工作在变阻区时,VGS = 2V,求得电阻rDS为1kW。①为了使rDS = 500W,则VGS为多少?②当晶体管的W为原W的二分之一时,在前面两种vGS供电的情况下,分别求其相应的电阻值。
评分规则: 【

3、 问题:提示:注意这是PEMOSFET,所以要特别小心参数的极性跟NEMOSFET的区别!!
评分规则: 【

4、 问题:对于本次学习的内容,你有什么疑问?或者说有哪些重要问题,你认为已经解决了?如何解决的?
评分规则: 【 rt

【作业】第4周 MOS小信号模型及CS放大器 第4周课前作业

1、 问题:
评分规则: 【

2、 问题:
评分规则: 【

3、 问题:
评分规则: 【

4、 问题:
评分规则: 【 rt

【作业】第5周 MOS放大器分析——CD和CG组态放大器 第5周课前作业

1、 问题:
评分规则: 【

2、 问题:
评分规则: 【

3、 问题:
评分规则: 【 t3

【作业】第6周 BJT器件及其交直流分析基础 第6周课前作业

1、 问题:
评分规则: 【

2、 问题:
评分规则: 【

3、 问题:
评分规则: 【

4、 问题:对于本次学习的内容,你有什么疑问?
评分规则: 【 rt

【作业】第7周 BJT放大器设计与分析 第7周课前作业

1、 问题:
评分规则: 【

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